半導體設備企業關注：2023年10月17日美國針對中國半導體制造設備新規全面介紹【上篇】
作者：邱夢赟 倪好 2023-12-12引言
美國時間2023年10月17日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布了一系列出口管制規則（以下簡稱為“2023年10月17日新規”），更新了對先進計算集成電路、半導體制造設備以及支持超級計算應用和最終用途的物項向包括中國在內的武器禁運國家的出口管制措施，并將中國的13家實體列入了實體清單。
曾在去年2022年10月7日，BIS也曾首次發布有關限制中國獲得先進計算集成電路、開發和維護超級計算機以及制造先進半導體的能力的規定，并相應對《美國出口管制條例》（EAR）進行針對性的修訂（以下簡稱“2022年10月7日新規”）。而本次10月17日新規在2022年10月7日新規基礎上的進一步修改。
2023年10月17日新規分為如下三個板塊：
本系列將會分成如下部分分別詳述：
針對先進計算集成電路、超級計算機新規：分別見《萬字逐條解讀：2023年10月17日美針對中國先進計算集成電路、超算、半導體制造設備新規》之上篇與中篇。
針對半導體制造設備新規：見本篇《中國半導體設備企業關注：2023年10月17日美國針對中國半導體制造設備新規全面介紹【上篇】》。下篇敬請期待。
正文
一、 《半導體制造設備新規》（即：《半導體制造物項出口管制暫行最終規則》（SME IFR）總體介紹
在本規則中，BIS 通過發布本《半導體制造物項出口管制暫行最終規則》（SME IFR），以更新了對半導體制造設備（semiconductor manufacturing equipment，以下簡稱“SME”）的管制，修改并完善了去年2022年10月7日新規中有關“半導體制造物項”的規定范圍，這些修改包括如下：
1. 在此前3B090項下，增加額外的半導體制造設備（SME）類型，并將這些物項均納入3B001和3B002的管制范圍。
2. 修改3D001、3D002、3D003和3E001，以就物項從3B090移至3B001和3B002的管制，而發生的許可證要求變動作出相應的變更。
3. 修改許可證例外限制，以反映3B090已被移除，并對這些半導體制造設備物項適用許可證例外的情況進行其他更改。
4. 修改國家安全（NS）許可要求和許可證審查政策，對新增的半導體制造設備物項以及從3B090移至3B001和3B002的物項，在中國澳門替特別行政區和國家/地區組D:5中指定的目的地實施國家安全（NS）管制。
5. 修改地區穩定（RS）許可要求和許可證審查政策，其中包括移除對3B090的引用，并將許可證要求擴展到中國澳門特別行政區和國家/地區組D:5中指定的目的地。
6. 修改了最低美國成分（de minimis）條款，為新的ECCN 3B001.f.1.b.2.b中描述的物項添加了0%最低美國成分規則。
7. 修改和重新排版了“美國主體”活動管制以及“超級計算機”和半導體制造最終用途管制。
8. 在《美國出口管制條例》（EAR）中添加了兩個新的定義術語：“極紫外”和“先進節點集成電路”。
9. 添加了一個新的臨時通用許可證（TGL），為美國和國家/地區組A:5和A:6的國家的半導體制造設備生產商提供額外的時間來尋找武器禁運國家之外的供應替代來源，或者獲得經單獨驗證的許可證。
10. 修訂了基于目的地的許可證要求。
二、 逐條詳述《半導體制造設備新規》（即：《半導體制造物項出口管制暫行最終規則》（SME IFR）
本第二章節將包括十二段內容，本上篇將介紹第（一）至第（五）段，剩余第（六）至第（十二）段將在下篇介紹。
(一) 修改了ECCN 3B001（制造半導體器件、材料和制造半導體設備的設備以及其“特別設計的”的“組件”和“配件”）
在本次2023年10月17日新規中，修改了3B001如下內容：
(二) 修改了ECCN 3B002（測試或檢查成品或未成品半導體器件而“專門設計”的測試或檢查設備）
(三) 刪除 ECCN 3B090 并作出符合規定的修改
BIS曾在去年2022年10月7日新規中將ECCN 3B090加入到商業管制清單（CCL）。而，本次2023年10月17日新規移除了ECCN 3B090，因為BIS已經確定應該將半導體制造設備的管制和以前已經存在的ECCN中指定的類似設備放在一起，例如3B001，而不單設3B090，為了便于合規、執行，以及因為BIS預計這些物項將成為未來正式多邊管制的對象。
由BIS簽發的 ECCN 3B090 設備許可證在有效期內一直有效，除非被暫停或撤銷。根據EAR第 750.7(c)(1)(viii) 節的規定，2023年10月17日新規生效后，出口商此后必須使用新的 3B001，以便對涉及ECCN 3B090 物項的許可證進行出口清關。這一原則也適用于本次2023年10月17日新規對其他所有ECCN的重新分類，即：出口商必須在2023年10月17日新規生效后提交的任何出口清關文件中使用新ECCN分類。
(四) 修訂了ECCN 3D001、3D002、3D003、3E001
(五) 增加了EAR第734.4(a)(3)條款：增加適用于3B001.f.1.b.2.b物項的0%最低美國成分比例規則。
1. 3B001.f.1.b.2.b物項是什么？物項參數是什么？
3B001是制造半導體器件、材料和制造半導體設備的設備以及其“特別設計的”的“組件”和“配件”。
進一步，有關3B001.f.1.b.2.b是什么？根據本次2023年10月17日新規，3B001.f.1.b.2.b物項參數是：使用光電或 X 射線方法，對準并曝光分步重復（直接在晶圓上分步）或分步掃描（掃描儀）設備，以進行晶圓處理，并滿足光源波長大于或等于193納米，并具備以下所有特性：（1）具備生產最小可分辨特征尺寸（MRF）為45納米或更小圖案的能力；和（2）最大“專用卡盤重合度（dedicated chuck overlay）”值大于1.50納米但小于或等于2.4納米。
2. 0%最低美國成分比例規則——適用于3B001.f.1.b.2.b物項
本次2023年10月17日新規10月17日新規修訂了《美國出口管制條例》（EAR）第734.4節，增加了一個新段落“(a)(3)”，該新增段落的具體內容如下：“符合《美國出口管制條例》（EAR）第774部分附錄1的ECCN 3B001.f.1.b.2.b 所列參數的設備，如該設備用于“開發”或“生產”符合《美國出口管制條例》（EAR）第772.1節中該定義第(1)段定義的“先進節點集成電路，則不適用最低美國比例成分標準，除非該外國制造的設備，第一次出口的國家*將該商品列入自己的出口管制清單。例如，*日本政府于2023年7月23日將氬氦濕光刻設備和其他先進半導體制造設備列入所有地區的管制清單?！?/span>
因此，符合3B001.f.1.b.2.b物項參數的設備（即：高級光刻機），只要其中包含美國原產物項，無論價值比例如何，其從美國出口、再出口或轉讓（在美國以外的國家/地區境內）均受到《美國出口管制條例》（EAR）的管制，除非其首次出口國家已經對該設備施加了與美國具有類似效果的出口管制。
3. 例外情況：若其他國家（例如日本）對符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b參數的設備維持類似效果的出口管制
此外BIS表示，如果其他國家對符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b參數的設備維持類似效果的出口管制，則BIS無需對從國外出口、再出口或轉讓（在境內）這些外國制造的物項施加額外的管制。BIS正在添加一條腳注（即上文中“*”的內容），其中包含任何維持類似效果出口管制措施的國家的信息。
4. BIS對于3B001.f.1.b.2.b物項的“長臂管轄”
BIS在本次2023年10月17日新規強調保留BIS的管轄權：對于從美國以外其他國家出口的物項，以及隨后再出口或在任何其他國家或區域之間轉移的物項，這些物項只要不是從類似效果出口管制措施的國家出口的，BIS均保留對這些外國制造設備的管轄權，以保護美國的國家安全和外交政策利益。
剩余第（六）至第（十二）段的逐條詳述《半導體制造設備新規》，敬請期待中國半導體設備企業關注：2023年10月17日美國針對中國半導體制造設備新規全面介紹【下篇】
