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在“拜登時代”結束前夕，美國商務部工業與安全局（BIS）在其官網發布了如下兩項規則：

(1)    2025年1月13日，BIS發布了名為《人工智能擴散出口管制框架》的臨時最終決定（以下簡稱為“《AI新規》”）[1]。

(2)    2025年1月16日，BIS發布了《對先進計算集成電路實施額外的盡職調查措施》的臨時最終決定（以下簡稱為“《先進計算集成電路新規》”）[2]，其中：

• 修訂了部分《AI新規》中創設的規則；

• 為《美國出口管制條例》（EAR）提供了新的針對先進計算集成電路的盡職調查措施，旨在“保護美國的國家安全，并協助代工廠和外包半導體封裝測試（OSAT）公司遵守EAR項下有關供應鏈中先進計算集成電路的相關規定”；

• 對BIS于2024年12月2日發布的對特定先進計算物項、超級計算機以及半導體制造設備的出口管制新規進行了修訂（該12月2日半導體新規解讀，詳見《逐條審視：美國針對先進計算物項、超級計算機及半導體制造設備的出口管制新規（2024年12月2日EAR修訂詳解）》[3]）。

《先進計算集成電路新規》于2025年1月16日生效，于2025年1月31需要各方遵守，2025年3月14日之前征求公眾意見。

本文以下內容將圍繞如下兩個方面：

一是圍繞AI芯片，整理了美歐各界對于這次《AI新規》的態度，可供業內對預測美國對未來AI芯片的管制走向作參考。

二是這次新出臺的《先進計算集成電路新規》將對芯片設計公司、代工廠、OSAT公司影響深遠，故而本文將詳細解讀。

(一) 時任拜登政府出臺的《AI新規》

2025年1月13日，時任美國拜登政府發布的名為《人工智能擴散出口管制框架》的臨時最終決定（即：《AI新規》）。該《AI新規》主要包含兩項核心管控措施：一是通過三級國別管理體系對先進集成電路（IC）實施如下差異化管制。二是對經過10^26次運算訓練的超大規模閉源AI模型權重建立出口許可機制。

1.《AI新規》出臺后的美國與歐盟內部立場分化

《AI新規》的出臺隨即引發國際產業界與其同盟利益方的立場分化。

2025年1月初，美國信息技術與創新基金會（ITIF）及美國半導體行業協會（SIA）紛紛公開表示[4]，該《AI新規》將導致企業合規成本激增、市場空間受限，最終可能“動搖美國在半導體與AI領域的全球領導地位”，并呼吁特朗普政府撤回這一存在“缺陷”的政策。

2025年1月7日，歐盟政策分析中心[5]批評該框架存在制度性偏袒，認為其"通過隱蔽的技術標準為美國云計算巨頭構筑競爭優勢，實質扼殺歐洲企業的市場空間"，并暗示可能啟動反經濟脅迫法律進行反制。

2.特朗普政府可能延續人工智能管制政策

值得注意的是，美國政界內部對管制框架的態度也呈現顯著分歧。

2025年1月13日，戰略與國際研究中心（CSIS）瓦德瓦尼人工智能中心主任的格雷戈里·艾倫分析指出[6]，盡管產業界普遍反對，但在CSIS政策論壇上，特朗普政府核心幕僚展現出截然不同的政策傾向：

• 美國國務卿馬爾科·盧比奧多次批評拜登政府此前與人工智能相關的芯片規則不夠強大、存在漏洞。

• 國家安全顧問邁克·沃爾茨更是呼吁收緊對華AI 技術出口。

艾倫據此判斷，《AI新規》中強化技術管制的核心要素，與特朗普政府的戰略訴求高度契合。

盡管特朗普政府尚未就拜登卸任前出臺的《AI新規》采取正式行動，但白宮前國際經濟和競爭力高級主任彼得·哈雷爾在華盛頓國際貿易協會的會議中透露，特朗普政府將繼續針對AI的出口管制保持積極關注。這也隱含了特朗普政府將延續甚至強化現有政策方向的喻義。

這一判斷亦可在特朗普宣誓就職后，2025年1月30日美國眾議院中國問題特別委員會的領袖聯名致函[7]中的國家安全顧問邁克爾·沃爾茨的措辭中得到印證，該函件敦促特朗普政府加強對可能有助于中國推進AI的計算機芯片的出口管制，提出了如下措施升級建議：

(1) 鑒于中國AI模型 Deepseek依賴英偉達芯片，因此需要將管制范圍從訓練芯片延伸至推理芯片，重點封堵其獲取英偉達H20等高端產品；

(2) 針對英偉達最新財報披露的新加坡市場占其全球營收22%且存在顯著轉口貿易風險的情況（該公司承認大部分貨物實際流向第三國），要求加強對新加坡等中轉樞紐的出口管制措施；

(3) 積極頻繁地更新出口管制措施，以遏制壓縮中國利用監管空白和漏洞來發展期人工智能。

(二) 特朗普2.0時代，美國出口管制體系的單邊化演進趨勢

在2025年1月30日馬薩諸塞州出口委員會舉辦的行業論壇上，美國國家對外貿易委員會（NFTC）國家安全政策副總裁珍妮特·朱指出，美國出口管制體系正加速向單邊化、域外化方向演進，逐漸偏離傳統多邊協調路徑。其分析稱，這一政策轉向在特朗普政府任期內或將呈現常態化發展趨勢[8]，特別提及拜登政府離任前突擊出臺的AI新規——該措施在缺乏核心盟友協同的情況下單方面落地。

如上文所述，《先進計算集成電路新規》中不僅對《AI新規》中創設的部分規則進行了進一步修訂。此外，還新增了IC設計公司與OSAT公司“白名單”制度并發布了首份“白名單”，對代工廠、OSAT公司新增了相應合規義務,修改了“最新美國成分比例規則”項下的“無最低美國成分比例”及擴大了“實體清單腳注5-外國制造直接產品規則”涵蓋的最終用戶范圍，新增或修訂了包括DRAM在內的特定術語定義，在CCL中新增或修改了ECCN，故而整體而言，對中國IC設計公司、代工廠、OSAT公司影響深遠。下文將詳細介紹。

(一) 修改了《AI新規》中創設的“人工智能授權許可例外（AIA）”（§740.27）及“先進計算制造許可例外（ACM）”（§ 740.28）

1. 針對“人工智能授權（AIA）許可例外”的修訂（§740.27）

《AI新規》在《美國出口管制條例》（EAR）第740.27條中新增了一項許可例外——人工智能授權（AIA）許可例外。本次《先進計算集成電路新規》在《AI新規》的基礎上擴大了商品的ECCN范圍。

根據修改后的AIA許可例外，除該實體總部或其最終母公司總部位于“AI授權國家地區”（見EAR第740部分附錄5中第(a)段列出的目的地[9]）外，AIA許可例外授權將符合條件的先進計算集成電路相關的軟件和技術出口、再出口或（在國內）轉移至“AI授權國家地區”的實體。

此外，根據《先進計算集成電路新規》的規定，對于符合AIA許可例外資格的先進計算集成電路：

• 出口商、再出口商和轉讓方需要從最終收貨人處獲得事先認證聲明，并且，

• 若商品范圍內的先進計算集成電路的累計總處理性能（TPP）達到253,000,000時，還需要根據報告要求將認證提交給BIS。

AIA許可例外，具體如下：

2.  針對先進計算制造（ACM）許可例外的修訂（§ 740.28）

本次《先進計算集成電路新規》類似地修訂了原《AI新規》創設的ACM許可例外，就產品范圍進行了調整，修訂后的ACM許可例外的具體內容如下：

(二) 針對適用的先進計算集成電路進行額外的管制措施

自2022年10月的出口管制規則修訂后，BIS經評估認為，目前已有的管制工具（例如實體清單、“紅旗”提醒要求和技術指南）并未完全確保芯片代工廠在為芯片設計公司及其他芯片供應鏈相關企業生產集成電路（IC）時，能夠明確判斷這些IC是否符合或超出ECCN 3A090的管控參數。BIS評估認為，存在企圖將符合ECCN 3A090控制參數的芯片轉用于未經授權的最終用途與最終用戶的實體。這些實體可能會對IC的性能作虛假陳述，從而使代工廠難以充分驗證這些產品的真實性能。

此外，BIS還認為，評估IC性能的技術難題可能在IC生產過程的多個階段出現。在代工廠無法控制IC最終封裝的情況下，這些IC有可能被轉移，并在后續封裝過程中被組合成超過ECCN 3A090性能閾值的產品。例如，客戶可能要求設計一塊晶體管數量略低于當前“紅旗”閾值的IC，并與OSAT公司合作，將該IC封裝成性能超過ECCN 3A090規定閾值的成品。這些在評估IC最終實際性能時，增加了代工廠無法發現第三方規避BIS管控企圖的風險。

因此，為進一步限制先進計算集成電路流向中國，本次《先進計算集成電路新規》：

• 對“前端制造公司（front-end fabricators）”[14]及外包半導體封裝和測試（OSAT）公司[15]提出了更為廣泛的許可要求，要求這些公司向全球任何目的地出口、再出口或（在國內）轉讓3A090.a物項“適用的先進邏輯集成電路”均需要申請BIS許可證。

• 設置了三種方法，建立可驗證技術參數的可靠來源清單，這些清單所列的主體無須許可證。換言之，本次《先進計算集成電路新規》通過“白名單”路徑補充此前的“黑名單”路徑，來強化對先進計算集成電路的管控。這三種方法分別為：

(1)    經批準的IC設計公司（列于EAR第740部分附錄6）；

(2)    經批準的OSAT公司（列于EAR第740部分附錄7）；以及

(3)    識別經授權IC設計公司的方法，具體標準3A090.a的注釋1（分析請見本文第二（二）章第1項）。

• 修改了人工智能授權（AIA）和先進計算制造（ACM）的許可例外規定（見本文第二（一）章），使某些例外僅適用于由經授權的IC設計公司設計的物項，這些設計公司更有可能準確報告他們請求先進代工廠制造的物項的ECCN。

1.新增3A090.a的注釋1，以明確針對前端制造公司或OSAT公司先進計算集成電路的許可規則

• 推定ECCN 3A090.a（以下簡稱“推定”）：若邏輯芯片沒有獲得“白名單”里（EAR第740部分附錄6）的IC設計公司對“總處理性能”（Total Processing Performance）和“性能密度”（Performance Density的認證聲明的情況下，任何邏輯芯片：

（1）若采用“16/14納米或更先進制程”生產，或者，采用非平面晶體管架構，并且封裝后的邏輯芯片的“聚合近似晶體管數量”超過當年出口/再出口/在國內轉讓時適用的閾值；但是

（2）若負責生產的前端制造商（front-end fabricator）或OSAT公司均無法作出聲明（聲明內容與上述b項下的內容一致），則該邏輯芯片將被推定為：ECCN 3A090.a項下的產品，推定為是為數據中心設計或銷售的高性能IC。

• 無法推翻推定：如果前端制造公司或OSAT公司無法推翻這一推定，則其必須遵守適用于ECCN 3A090.a的所有許可要（此推定不適用于除前端制造公司或OSAT公司以外的任何實體）。

• 如何推翻推定：前端制造公司或OSAT公司，可以通過以下三種方法中的任意一種方式，推翻這一推定，具體見下文a至c段。否則，除非按照本注釋a至c段中列舉的三種方法之一，否則僅憑最終用戶或交易其他方的聲明確認ECCN是不足夠的。

a. 方法1：如果“適用的先進邏輯集成電路”的設計方是“白名單”里（EAR第740部分附錄6或被授權）的IC設計公司，即：若“適用的先進邏輯集成電路”（applicable advanced logic integrated circuit）的IC設計公司是經批準或授權的IC設計公司，則來自該設計公司的數據表或其他關于“總處理性能”和“性能密度”的聲明，以表明該集成電路不屬于3A090.a，則可以推翻推定。白名單里（被批準或授權）的IC設計公司如下：

(1) 經批準的IC設計公司列于EAR第740部分附錄6中；

(2) 2026年4月13日之前，獲得授權的IC設計公司包括以下所有的IC設計公司：

 (i). 總部設在中國臺灣地區或EAR第740部分附錄1的A:1或A:5國家/地區組指定的目的地的，且不位于、也沒有最終母公司總部位于中國澳門特別行政區或國家/地區組D:5的目的地（）；或者

 (ii). 已同意將適用的相關信息（根據EAR§ 743.9(b)）提交給前端制造公司，而前端制造公司隨后必須向BIS報告。

• 注釋：在2026年之前，授權的IC設計方暫時包括來自臺灣地區或國家組A:1或A:5地區（如日本、韓國、歐洲等）的企業，但受限于嚴格的報告要求。

(3)  2026年4月13日之后，、如果公司同時滿足這些標準并提交申請成為經批準的 IC 設計公司，則該公司將被視為授權 IC 設計公司，有效期為 180 天。

b. 方法2：前端制造公司進行封裝的情況，且其對于芯片性能作出聲明，若由“前端制造商”在中國澳門或EAR第740部分補充文件1的國家組D:5之外的地點完成 “適用的先進邏輯集成電路”的封裝，則“前端制造商”作出以下聲明的，則可以推翻推定。聲明內容具體而言：

(1)    最終封裝集成電路的“聚合近似晶體管數量”（aggregated approximated transistor count）低于300億個晶體管，或

(2)    最終封裝集成電路不包含高帶寬內存（HBM），并且其“聚合近似晶體管數量”滿足以下標準：

  (i).  對于在2027年完成的任何出口、再出口或國內轉移，低于350億個晶體管；或

 (ii). 對于在2029年或之后完成的任何出口、再出口或國內轉移，低于400億個晶體管。

•  注釋1：由前端制造公司在 D：5 或澳門以外的地點自行完成的封裝將使該芯片制造商能夠對芯片的技術參數進行可信、可靠的評估。通過自己完成封裝，前端制造商可以明確判斷最終封裝物是否超過上述晶體管閾值，而無需完全依賴客戶的信息。

• 注釋2：前端制造商需直接參與封裝流程并確保數據準確，從而減少對客戶信息的不確定性。這對芯片制造商的供應鏈整合能力提出更高要求。若前端制造商對芯片封裝負責，并提供晶體管數量的聲明，則可以證明芯片不屬于ECCN 3A090.a限定的高級IC，從而免于額外出口限制。

  
  

c.方法3：白名單里（EAR第740部分附錄7）的OSAT公司完成封裝，且其對于芯片性能作出聲明，即：若 “適用的先進邏輯集成電路”的封裝由EAR第740部分附錄7中列出的經批準的OSAT公司封裝，則經批準的OSAT公司作出聲明的（聲明內容與上述b項下的內容一致），則可以推翻推定。

• 注釋：獲批的OSAT公司，若完成封裝并提供準確報告，則可免于其封裝的芯片受限于ECCN 3A090.a的管制規則的要求。

  
  

2.新增了IC設計公司和OSAT公司“白名單”（EAR第740條附錄6及附錄7）

EAR第740部分新增補充附件6和7，創建了兩個新的“白名單”：批準的IC設計公司名單（附錄6）和批準的OSAT公司名單（附錄7）。

在決定將哪些實體最初列入這些附錄時，由最終用戶審查委員會（ERC）評估了多種國家安全和外交政策因素，包括但不限于：

• 該公司參與適當最終用途活動的記錄；

• 該公司在出口許可及相關歷史中是否表現出遵守美國出口管制的情況，以及是否存在其他可能對其不利的信息（例如公司所有權結構的透明性問題）；

• 申請方是否具有長期采購先進IC的歷史背景；

• 申請方是否具備防止計算資源被濫用和轉移的能力；

• 公司總部和主要運營地點的地理位置；

• 公司在集成電路貿易中的交易規模和性質；以及

• 其他BIS認為相關的因素。

• 在考慮哪些實體應被列入或移出這些補充附件名單時，ERC將應用上述相同的評估標準。

目前已經獲得ERC授權的公司包括如下：

3. 前端制造公司對IC設計公司的盡職調查要求（KYC審查表）（EAR第743部分附錄2）

本次《先進計算集成電路新規》在EAR第743部分附錄2 中新增了一份盡職調查問卷，要求前端制造公司在與新授權IC設計公司進行交易之前，必須對IC設計公司進行盡職調查，并就調查結果向BIS進行報告（作為上述報告要求的一部分）。

根據本次《先進計算集成電路新規》的說明，該KYC審查表是“最佳合規實踐”，以避免特定公司通過先進代工服務以規避先進計算物項管制的風險。該表格具體內容如下，體現了此后集成電路代工廠在提供代工服務之前必須要履行的盡職調查義務的關注內容。

(三) 對EAR的其他修改

1. 修改“最低美國成分比例規則”項下“無最低美國成分比例”（§734.4(a)）

本次修改的“無最低美國成分比例”的內容如下（修改部分請見紅色字體）：

(1) 與“半導體制造設備-外國制造直接產品規則”（SME FDP規則）有關的“無最低成分比例”（EAR §734.4(a)(8)）

除在EAR§ 742.4(a)(4)關于國家安全許可要求或§ 742.6(a)(6)關于地區穩定許可要求中被排除的情況外，若某個商品符合ECCN 3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, f.6, k至n, p.2, p.4, r或3B002.c所列的參數，且該商品包含根據CCL第3、4或5類指定的美國原產集成電路，并且該商品的目的地是中國澳門特別行政區或D:5國家組中被指定的國家/地區（含中國），則與SME FDP規則相關的“最低美國成分比例規則”不適用。

(2) 與“實體清單腳注5-外國制造直接產品規則”（FN5 FDP規則）有關的“無最低成分比例”（EAR §734.4(a)(9)）

若某個物項符合ECCN 3B類（不包括 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k 至 n、p.2、p.4、r 或 3B002.c）所列的參數，且該物項包含根據CCL第3、4或5類指定的美國原產集成電路，并且該物項的最終用戶為被列實體清單腳注5實體或位于中國澳門特別行政區或D:5國家組中被指定的國家/地區的“設施”，則與FN5 FDP規則相關的“最低美國成分比例規則”不適用。

2. 修改“實體清單腳注5-外國制造直接產品規則”（FN5 FDP規則）（EAR §734.9(e)(3)）

本次新規擴大了“實體清單腳注5-外國制造直接產品規則”所涵蓋的最終用戶范圍，修改后的規則的具體規定如下：

3. 修改DRAM的定義

根據EAR第772.1條，修改后的DRAM定義是，具有以下任何特征的DRAM：

(i) 存儲單元面積小于0.0026平方微米（μm2）；

(ii) 存儲密度大于每平方毫米0.20千兆位（gigabits）；

(iii) 單片晶粒擁有超過3000個硅通孔（TSV）。

“先進節點集成電路”定義的注釋：

• 術語“存儲密度”是指包含DRAM集成電路的單片晶粒、封裝或堆棧的容量，用千兆位（gigabits）表示，并除以相關面積。

• 對于單片晶粒（monolithic die），相關面積為晶粒的面積。

• 對于封裝或堆棧，相關面積為封裝或堆棧占用的平面投影面積（以平方毫米計）。如果堆棧包含在一個封裝內，則使用封裝的面積。

• 存儲單元面積的定義為：字線（Wordline）乘比特線（Bitline）（這同時考慮了晶體管和電容器的尺寸）。

4. 其他新增特定術語的定義（EAR第772.1條）

本次《先進計算集成電路新規》在EAR的第772.1部分新增/修改了如下術語的定義：

1. 16/14納米節點（16/14 nanometer node）

2. 先進節點集成電路（Advanced-Node Integrated Circuits）

3. 聚合近似晶體管數量（Aggregated approximated transistor count）

4. 適用的先進邏輯集成電路（Applicable advanced logic integrated circuits）

5. 前端制造公司（Front-end fabricator）

6. 外包半導體組裝和測試（Outsourced Semiconductor Assembly and Test (OSAT)

5. 修改CCL以修改或新增ECCN

本次《先進計算集成電路新規》對多個ECCN進行了修訂，包括：3A090、3B001、3B993 和 3B994、3D992、3D993、3D994、3E992、3E993 和 3E994。

鑒于2025年美國對中國半導體領域管制措施持續升級、熱度不退的態勢，我們建議中國半導體相關產業鏈公司，重點做好如下應對工作：

1.密切跟蹤規則后續進展：應持續密切關注特朗普政府出臺出口管制政策的進程，及時了解規則修訂動態、實施細則發布及管控政策演變，針對性地調整內部合規措施和業務策略。

2.針對不同產品的分類管理。明確產品分類，核查自身設計、制造的產品是否滿足BIS對3A090、ECCN 4D090（EDA工具）或5E001/5A992（AI模型開發設備和軟件）等ECCN的描述。設立內部技術分類審查系統，對于超過技術閾值的產品（如晶體管數超過300億的芯片）建立內部管理審批流程。

3.建立采購物項管理機制。梳理采購產品時提前核查供應鏈是否包含受控美國技術，收集ECCN編碼，建立內部物項出口管制管理機制。

4.交易合規管理。建立限制性清單篩查機制，在各業務環節自動識別篩查交易主體是否被列相關限制性清單。

5.客戶盡職調查與最終用途核查。實施客戶引入、合同簽署等合規審批流程，多節點核查客戶或最終用戶是否存在敏感國家資本。要求客戶簽署最終用戶和最終用途聲明（EUC），明確禁止芯片或技術用于被限制/禁止的最終用途。

6.積極合規溝通。當存在潛在違規風險時，考慮向有關機構提交“自愿披露”申請以降低處罰與被列清單的風險，或考慮申訴等其他方式進行溝通。

7.雙重法律合規。對于在中國有業務的半導體領域的外資企業，還需注意同時遵守中國法和美國法律的“雙重約束”。

最后，我們建議中國半導體企業積極應對出口管制帶來的挑戰，主動采取合規措施。一方面，這有助于避免被列入出口管制清單，從而減少發展受阻的風險；另一方面，更為重要的是能夠避免無意中觸碰外國法律紅線所帶來的嚴重后果。即便最終不幸被列入清單，合規行為仍然可以幫助企業降低本可避免的高額外國行政或刑事處罰的可能性。更進一步說，在當前嚴峻的國際環境下，半導體全產業鏈并未受到如AI芯片那樣同等強度的出口管制。這要求企業根據自身實際情況，制定一條切實可行的合規與風險管控策略，為長期發展保駕護航。