半導體設備企業關注：2023年10月17日美國針對中國半導體制造設備新規全面介紹【下篇】
作者：邱夢赟 倪好 2023-12-13引言
美國時間2023年10月17日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布了一系列出口管制規則（以下簡稱為“2023年10月17日新規”），更新了對先進計算集成電路、半導體制造設備以及支持超級計算應用和最終用途的物項向包括中國在內的武器禁運國家的出口管制措施，并將中國的13家實體列入了實體清單。
曾在去年2022年10月7日，BIS也曾首次發布有關限制中國獲得先進計算集成電路、開發和維護超級計算機以及制造先進半導體的能力的規定，并相應對《美國出口管制條例》（EAR）進行針對性的修訂（以下簡稱“2022年10月7日新規”）。而本次10月17日新規在2022年10月7日新規基礎上的進一步修改。
2023年10月17日新規分為如下三個板塊：
本系列將會分成如下部分分別詳述：
針對先進計算集成電路、超級計算機新規：分別見《萬字逐條解讀：2023年10月17日美針對中國先進計算集成電路、超算、半導體制造設備新規》之上篇與中篇。
針對半導體制造設備新規：見本篇《中國半導體設備企業關注：2023年10月17日美國針對中國半導體制造設備新規全面介紹【上篇】》。下篇敬請期待。
正文
在上篇中已介紹了上述十二段中的第（一）至第（五）段。
本章節將介紹剩余第（六）至第（十二）段。
一、逐條詳述《半導體制造設備新規》（即：《半導體制造物項出口管制暫行最終規則》（SME IFR）
(六) 修改減少對供應鏈的短期影響的措施——針對限制較少的半導體制造設備的“部件”、“組件”或“設備”（修改了第736章節附錄1）
(七) 修改許可例外的限制（修改了第740.2條）
去年2022年10月7日新規中，BIS修改了EAR§740.2(a)(9),增加了新的ECCN編碼，即：3A090、4A090以及與前述物項相關的軟件與技術（3D001,3E001,4D090和4E001），所適用的許可例外的限制。
然而，在今年2023年10月17日新規中，在去年版本基礎上，BIS對于EAR§740.2(a)條款，進一步做了如下修訂:
(八) 增加并重新排版了“國家安全（National Security）”管制理由（修改了EAR第742.4條）
(九) 修改“地區穩定”管制理由（修改了EAR第742.6條）
在去年2022年10月7日新規中，BIS在EAR中創設了一項單邊“地區穩定”管制理由（regional security，RS管制），規定在EAR§ 742.6中。
今年2023年10月17日新規中，BIS在去年版本上，進一步修改了“地區穩定”（RS管制）。
(十) 修改了對“美國主體”的“活動”的管制（修改了EAR第744.6條）
本次2023年10月17日新規修改了EAR第744.6(c)(2)條，將包含冗余案文的原(c)(2)(i)至(ix)九段合并為(c)(2)(i)至(iii)三段。
此外，關于“知曉”，BIS作出了進一步的說明：
有評論者詢問，了解違規行為是否是觸發§744.6規定的許可要求的必要條件。
作為對這一評論的回應，BIS通過在（c）（2）段介紹性文本中添加“如果您知道您的出口、再出口或轉讓（在境內）符合EAR第744.6（c）（2）（i）至（iii）段中描述的任何特定活動，那么”來說明這一點。
1. “美國主體”被禁止的行為
根據修訂后EAR第744.6(c)(2)條（需要同時結合本次2023年10月11日新規項下《先進計算集成電路、超算新規》（AC/S IFR）（見本所新規解讀的上篇與中篇）以及《半導體制造物項新規》（SME IFR）（見本篇）），除EAR第744.6條約定的除外情況外，若美國主體知曉其的出口、再出口或美國以外的國家/地區境內轉移滿足下述第744.6 (c)(2)(i)至(iii)段所述的任何特定行為，則需要獲得許可證，用于以下從事活動：
運輸、傳輸或國內轉移；
促進運輸、傳輸或國內轉移；或
與下表任何一段中描述的任何物項、最終用途或最終用戶相關的維修（包括安裝）活動
2. 許可證審查標準
一般情況：目的地為中國澳門特別行政區或國家/地區組D:5中指定的目的地的許可證申請為推定拒絕。
例外情況：涉及不受《美國出口管制條例》（EAR）管制的外國制造物項的活動除外，如果該物項與受管制的物項具有相同功能，這些活動將被推定為批準審查。
所有其他申請都將按照逐案審查的許可證審查政策進行審查，同時考慮技術水平、客戶和合規計劃等因素。
(十一) 修改了“超級計算機”、“先進節點集成電路”和半導體制造設備最終用途管制措施（修改了EAR第744.23條）
在去年2022年10月7日新規中，BIS新增了“超級計算機以及半導體制造最終用途條款”，規定在EAR第744.23條款中。
在本次2023年10月17日新規中，BIS在去年版本上，進一步修訂了EAR第744.23條款，題目改為了：“超級計算機、先進節點集成電路以及半導體制造最終用途條款”修訂后的EAR第744.23條具體如下（如下整合了本所文章《萬字逐條解讀：2023年10月17日美針對中國先進計算集成電路、超算、半導體制造設備新規》之上篇與中篇所述的744.23條款的內容）：
(十二) 在《美國出口管制條例》（EAR）中增加新的定義（修改了EAR第772.21條）
本次10月17日新規修訂了《美國出口管制條例》（EAR）第772.1節，增加了“極紫外”（EUV）的定義，并且在ECCN 3B001、3B002 和 3D003中也分別使用了該術語。此外，本次10月17日新規還增加了“先進節點集成電路”（ Advanced-node Integrated Circuit）的定義，以簡化第744.6節和第744.23節中以前描述“先進”集成電路標準的幾處法規文本。
1.“極紫外”（“EUV”）的定義
“極紫外”是指電磁光譜波長大于 5 nm 且小于 124 nm 。
2. “先進節點集成電路”（“ Advanced-node Integrated Circuit”）的定義
“先進節點集成電路”的定義，即滿足如下條件的集成電路：
(1) 非平面晶體管結構的邏輯集成電路或具有16nm或14nm或以下“生產”“技術節點”的邏輯集成電路；
(2) 128層或以上更多堆疊的NAND閃存集成電路；或
(3) 使用18nm半間距或更小“生產”“技術節點”的DRAM內存集成電路。
注釋1：在此定義的第（1）和（3）段中，術語“技術節點”指的是《2016年國際器件和系統路線圖》（“More Moore”白皮書）中描述的邏輯產業“節點范圍”圖表，網址為
https://irds.ieee.org/images/files/pdf/2016_MM.pdf。
技術注釋：在此定義的第（3）段中，用于確定DRAM集成電路是否使用18納米半間距或更小生產技術節點的計算方法是由電氣和電子工程師學會（IEEE）開發、采用和使用的計算半間距方法，該方法已發表在《國際器件和系統路線圖》（IRDS）中，具體如下：
其中，取決于DRAM架構，單元尺寸因子通常為8、6或4；單元面積定義為“字線×位線（考慮了晶體管和電容器尺寸的綜合因素）”。
