2025年美國商務部BIS出口管制年會內容速覽
作者：邱夢赟 2025-03-25如往年一樣，美國商務部工業和安全局 （BIS） 已于 2025 年 3 月 18 日至 20 日在美國華盛頓特區舉辦了線下的出口管制政策更新會議。本屆年會內容包括主題演講、全體會議、分組會議、圓桌論壇。會議議程涵蓋了由 BIS 領導層和相關代表參加的全體會議、法規更新、近期出口執法調查案例剖析、針對特定議題的合規指導，以及來自信息與通信技術與服務辦公室的專題報告。
本所合伙人邱夢赟律師特別委派了代表，線下全程參加了該年會。以下是結合年會內容的我們的初步觀察，為相關企業提供一些參考。
一、半導體出口管制
1. 2024年至今BIS對于半導體新規概覽
BIS在年會中用單獨的一個講座，介紹了對于半導體出口管制的政策更新。特別重點介紹了2024年至今，BIS出臺的如下四個法規：
(1) Implementation of Additional Export Controls: Certain Advanced Computing Items; Supercomputer and Semiconductor End Use; Updates and Corrections; and Export Controls on Semiconductor Manufacturing Items; Corrections and Clarifications (C&C Rule)（實施額外的出口管制：某些高級計算項目;超級計算機和半導體最終用途;更新和更正;以及半導體制造項目的出口管制;更正和澄清）（C&C規則）
見錦天城歷史解讀[1]：
(2) Commerce Control List Additions and Revisions; Implementation of Controls on Advanced Technologies Consistent with Controls Implemented by International Parties (Quantum & Semiconductor Rule- Q&S Rule)（商業管制清單的添加和修訂;實施與國際合作伙伴實施的控制措施一致的先進技術管制措施）（Q&S規則）
見錦天城歷史解讀[1] ：
(3) Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items (FN5 Rule)（外國制造的直接產品規則添加，以及對高級計算和半導體制造項目的管制措施的改進）（腳注5新規）
見錦天城歷史解讀[1] ：
2025年1月BIS對于該新規中部分條款進行了修訂，修訂版的相關條款解讀見：25年1月美國強化對先進計算集成電路盡職調查，特朗普2.0時代對中國半導體管制的走向如何？中國半導體企業如何應對？
(4) Implementation of Additional Due Diligence Measures for Advanced Computing Integrated Circuits; Amendments and Clarifications; and Extension of Comment Period（對先進計算集成電路實施額外的盡職調查措施;修訂和澄清;以及延長意見征詢期）（FDD規則）
見錦天城歷史解讀[1] ：
25年1月美國強化對先進計算集成電路盡職調查，特朗普2.0時代對中國半導體管制的走向如何？中國半導體企業如何應對？
2. C&C規則
在C&C規則下，BIS提到了：EAR第740.8條“通知的先進計算（NAC）”（Notified Advanced Computering（NAC））；灰色地帶芯片（Gray Zone Chips）的許可證審查政策；EAR第744.23(a)(4)條項下新的最終用途/最終用戶管控措施，以防止半導體制造設備的本地化生產；從半導體制造設備（SME）許可要求中的括號例外中刪除了極紫外（EUV）掩?；澹?B001.j）和EUV掩模制作設備（3B991.b.2）；澄清了BIS對公眾評論中第45、46、47和49項主題的回應。
3. Q&S規則
在Q&S規則項下，BIS在年會中重點提到了如下ECCN：
3B903 Scanning Electron Microscope (SEM) equipment designed for imaging semiconductor devices or integrated circuits. (用于半導體器件或集成電路成像的掃描電子顯微鏡（SEM）設備。)
3C907 Epitaxial materials consisting of a “substrate” having at least one epitaxially grown layer and containing other specified materials. (外延材料，包括具有至少一層外延生長層的“襯底”，并含有其他特定材料。)
3C908 Fluorides, hydrides, chlorides, of silicon or germanium, containing other specified materials. (含有特定材料的硅或鍺的氟化物、氫化物或氯化物。)
3C090 Silicon, silicon oxides, germanium or germanium oxides, containing any other specified materials. (含有特定材料的硅、硅氧化物、鍺或鍺氧化物。)
此外，BIS還重點提及了EAR第742.4(a)(5)(ii)（即：EAR第742.4條“國家安全”項下的視同出口與視同再出口的例外）以及第742.6(a)(10)(ii)（即：EAR第742.6條”地區穩定“項下視同出口與視同再出口的例外），并進一步解釋了第736條第一補充案中的第6號通用命令。該等規定體現了BIS通過EAR對于不同技術（例如GAAFET和量子技術）的管控要求，以及分別針對視同出口/再出口的不同對象的詳細規定。如下的“祖父條款”主要寬松處理現有員工的技術訪問權，但同時對未來可能發生的技術轉移（如新員工或現有員工訪問其他敏感技術）施加了進一步限制。
具體而言，BIS在本次年會中，總結性了解釋如下要點：
EAR第742.4(a)(5)(ii)(A)和第742.6(a)(10)(ii)(A)是祖父條款——包括了所有現有在職員工——授權視同出口或視同再出口除了GAAFET 3E905之外的所有技術和軟件去大部分目的地（除D:1 和 D:5國家外，包括中國在內）。
EAR第742.4(a)(5)(ii)(B)和第742.6(a)(10)(ii)(B)：視同出口或視同再出口的有限豁免——適用未來的情況，例如，雇傭新的員工或者現有員工首次獲得其他受管制技術的權限。
第6號通用命令（有關GAAFET及量子技術，見EAR第736章節第1補充文件），
(f)(1)：授權實際出口、再出口或轉讓 GAAFET 技術（3E905）到 EAR 中定義的A:5 與A:6 國家。
(f)(2)：對在D:1 和 D:5國家的外國現有員工實施祖父條款，授權視同出口或視同再出口 GAAFET 技術（3E905）。
(f)(2)：對在D:1 和 D:5國家的外國現有員工，授權視同出口或視同再出口量子技術或相關軟件（即：3D901（適用于 ECCN 3A901.b、3B904 中量子物項的“軟件”）、3E901（適用于 3A901、3A904、3B904、3C907、3C908、3C909 中量子物項的“技術”）、4D906 或 4E906 中量子物項的“技術”）。
4. FN5規則（腳注5新規）
FN5規則，又稱：實體清單-腳注5新規，是BIS在半導體講座中的重點內容之一，重點總結了FN5規則的如下要點：
增加了對24種新型工具的管控，同時對現有的類別3出口管制分類號（ECCNs）進行了修訂
兩項新的外國直接產品規則（Foreign Direct Product Rules, FDP）及相關的最小比例規則（de minimis rules）。具體而言，出臺了“FN5外國直接產品規則 (FDP)”，針對與關注半導體廠相關的產品；以及“SME外國直接產品規則 (FDP)”，針對中國澳門和D:5國家（包括引入“包含（contains）”概念的管控）
增加對“高頻寬存儲器（HBM）”的出口管控措施
新增對DRAM的集成電路參數的要求
實施與國家安全（National Security）和區域穩定（Regional Stability）相關的管制
發布新的國家清單，見EAR第742部分的補充附表4
EAR 第740.25條：高頻寬存儲器（HBM）許可例外 [AES C71]
EAR第740.26條：受限制造“設施”（Restricted Fabrication Facility, RFF）許可例外 [AES C72]
臨時通用許可（TGL）的修訂[AES C65]
八個新的紅旗警告（Red Flags）
新增軟件密鑰的管制措施
在FN5規則項下新增的八個紅旗警告中，BIS這次重點解釋了第22、26和27號警示信號，具體包括：
第22號紅旗警告：如果外國政府要求某項物品的出口需要許可證，而最終用戶的性質引發了有關出口商、再出口商或轉讓方是否會獲得該物品許可證的疑問，則存在紅旗警告。
第26號紅旗警告：如果涉及出口、從國外出口、再出口或轉讓的外國制造的物品屬于“FN5外國直接產品規則 (FDP)”或“SME外國直接產品規則 (FDP)”中描述的第3B類別（Category 3B ECCN）物品，且至少包含一個集成電路（IC），那么存在紅旗警告——該外國制造的物品可能符合實體清單中FDP規則的產品范圍。
第27號紅旗警告：標識出一種情況，其中最終用戶是與一個從事“生產”“先進計算集成電路”的“設施”相關聯的另一個“設施”。BIS特別強調，除非通過“咨詢意見”（Advisory Opinion）解決該紅旗警告，否則在EAR第744.23條規定下，這兩棟建筑將被視為一個單一的“設施”。因此，從中可以模擬出一個場景：假設美國公司C計劃向中國半導體工廠D出口一批晶圓制造設備，但經過調查發現工廠D的一個附屬工廠E最近參與了生產先進計算集成電路。根據第27號紅旗警告，EAR第744.23條規定可以將這兩個工廠視為一個整體“設施”。因此，即使工廠D本身沒有直接從事受限活動，也可能因其與工廠E的關系觸發管控。公司C需要向商務部申請咨詢意見（Advisory Opinion）來解決這一紅旗警告，否則可能無法繼續交易。
由于BIS在“FN5外國直接產品規則 (FDP)”項下引入“包含（contains）”概念的管控，為了方便理解，BIS用下表進行了解釋：
有關“FN5外國直接產品規則 (FDP)”項下的許可證要求，BIS用了如下一覽表進行了解釋：
上表中的ECCN清單：
List 1: ECCN 3B001.a.4,c, d, f1,f5, f6, k to n, p.2,p.4,r 38002.c
List 2: ECCN 3B993
List 3: ECCN 3B001 (除List 1 and 3B001.g and .h), 38002 (除38002.c,38611,38903,38991 (除 3B991.b.2.a and38991.62 61 38992,38993 38994
EAR第742條附錄4（Supp 4）地區名單：澳大利亞、奧地利、比利時、保加利亞、加拿大、克羅地亞、捷克共和國、丹麥、愛沙尼亞、芬蘭、法國、德國、希臘、匈牙利、冰島、愛爾蘭、意大利、日本、拉脫維亞、立陶宛、盧森堡、荷蘭、新西蘭、挪威、波蘭、葡萄牙、羅馬尼亞、斯洛伐克、斯洛文尼亞、西班牙、瑞典、瑞士、英國。
最后，BIS也額外解釋了EAR中新增的“邏輯芯片或DRAM先進節點集成電路 (Advanced ICs)：不適用De minimis規則”，尤其是與“FN5外國直接產品規則 (FDP)”交叉適用的情況。具體而言，根據EAR第734.4(a)(9)條的規定，對于涉及“FN5外國直接產品規則 (FDP)”的管制物項，若一個物項符合CCL（商業管制清單）中類別3B類的ECCN（不包括 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k 至 n、p.2、p.4、r 或 3B002.c）的技術參數，且包含美國原產的集成電路（屬于CCL中的第3類、4類或5類ECCN），且最終目的地為如下，則不適用De minimis規則：
實體清單（Entity List）被附有腳注5，或者
至位于中國澳門或國家組D:5指定目的地的最終用戶“設施”，并且已知（“knowledge”）該商品將用于“生產”邏輯芯片或DRAM的“先進節點集成電路”。
5. FDD規則
FDD規則是近期2025年1月BIS最新出臺的規則。BIS在這次涉及半導體的演講中，用了近一半的時間進一步解讀了這次的規則。
在FDD規則項下，BIS新增3A090.a的注釋1，以明確針對前端制造公司或OSAT公司先進計算集成電路的規則。在這次演講中，BIS從如下四個角度解釋了3A090.a的注釋1：
該規則適用于誰？前端半導體制造公司或OSAT公司
該規則什么時候適用？從國外出口、再出口、轉讓“適用先進邏輯集成電路”
該規則做什么？推定芯片是3A090.a，且適用3A090.a的許可證要求
如何推翻該推定？三種方式。
推翻推定3A090.a的三種方式：
1、 如果“適用先進邏輯集成電路”的設計者是經過批準或授權的集成電路設計公司（即：EAR第740部分附錄6或被授權，又稱“白名單”），那么來自該批準或授權的集成電路設計公司提供的數據表或其他關于“總處理性能”和“性能密度”的證明文件，表明該集成電路不屬于3A090.a所規定的范圍，這將推翻“前端制造商”或“OSAT”公司關于該集成電路屬于ECCN 3A090.a范圍的推定。
2、 如果集成電路芯片由“前端制造商”在中國澳門以外或者D:5國家以外的目的地進行封裝。BIS在演講中提到的這點和FDD新規原文略有差異，FDD新規原文與現時有效的CCL中均規定，除了目的地要求外，還要求“前端制造商”作出有關芯片性能的聲明。
3、 如果集成電路芯片是由“白名單”里（EAR第740部分附錄7）的OSAT公司完成封裝，且，并且符合以下任一聲明條件：
BIS也特別提到了EAR第743.9項下的前端制造公司的報告義務。BIS要求：“前端制造公司”為任何授權的集成電路設計方生產3A090.a的集成電路或根據3A090注釋1推定為ECCN 3A090.a的集成電路，必須按照EAR規定向BIS提交季度報告，其中包括最終用戶的“了解您的客戶”（KYC）審查表（包含在第743部分補充2中）。
6. DRAM與HBM
BIS梳理了2022年至今從“半間距”（half pitch）的定義轉向高帶寬內存（HBM）關注要點及對DRAM描述的發展過程變化，見如下，該路線圖體現了DRAM的定義逐步脫離了芯片自身“半間距”的定義，更多地向高性能需求（例如HBM）傾斜。
BIS同時也展示如下表格，說明了從2024年至2025年，BIS對DRAM的定義對存儲單元面積從0.0019 μm2放寬至0.0026 μm2，存儲密度從0.288 Gb/mm2下調至0.2 Gb/mm2，針對中國調整了管控力度，以更精準地管控最新技術（例如HBM3），降低對較為成熟技術（如HBM2）的限制。
最后，BIS強調了最新DRAM的定義（即在FDD規則項下修訂后的定義），如下，該最新定義（尤其是增加了（iii））將會對在原DRAM定義下不受影響的DRAM制造廠施加最終用途和“美國人”的從業限制：
DRAM具有如下特性：
(i) 小于0.0026平方微米的存儲單元面積；或
(ii) 大于每平方毫米0.20千兆比特（gigabits）的存儲密度；或者
(iii) 單片晶粒擁有超過3000個硅通孔（TSV）。
二、伊朗制裁與出口管制
盡管美國經濟制裁由美國財政部OFAC監管，但BIS在圓桌論壇及演講中也多次提到了對伊朗施加最大壓力的制裁措施，BIS提及，OFAC負責執行對伊朗的大多數貿易制裁；然而，雖然對于OFAC授權的交易，出口商無需單獨向BIS申請許可，但是在有限的情況下，出口可能需要同時獲得BIS和OFAC的許可。
BIS對以下事項的實施附加的許可要求并簽發許可證，包括了涉及伊朗方的被視同出口（Deemed Exports）和再出口（Reexports），以及被列入實體清單（Entity List）的伊朗相關方的交易。
此外，BIS管控幾乎所有《商業管制清單》（CCL）所列物項以及特定53個HTS代碼標識的物項從境外的出口和由外國人從事的再出口行為。這些物項是伊朗依賴于建設無人機（UAV）和導彈體系，但無法自主生產的產品。此類管控包括：向伊朗或涉及伊朗政府的外國生產物項，這些物項是使用某些來源于美國的軟件、技術和生產設備制造的。
總之，2025年起，筆者已經看到美國相關政府部門從不同角度與側面對伊朗開展了愈加嚴格的制裁與出口管制的趨勢。
三、基于最終用戶與最終用途管制的Catch-All管制釋義
BIS另進行了一場專題討論會，探討EAR第744部分中關于最終用戶與最終用途的管控（不包括半導體的出口管制，相關內容已單獨分析，見本文第一部分）。該“基于最終用戶與最終用途管制”討論涵蓋了以下領域：核、海事核推進、導彈與UAV、生物與化學武器、軍事和情報相關最終用途管控、“美國人”相關管控。主要討論內容包括：相關物項的許可需求，明確了對于某些物項出口或再出口需要獲得許可，以及實體清單及未經證實清單在管控措施中的重要地位。最后，BIS強調了盡職調查的重要性，強調出口商和相關方在交易前必須進行全面的盡職調查。
1. 什么時候Catch-All管制適用？
根據EAR第736.2(b)(5)條“普遍禁令5”：
出口商/再出口商/轉讓方“知曉”（knowledge）：如果出口商、再出口商或轉讓方掌握到某項物項將被用于受限的最終用途或交付給受限的最終用戶，則“全控條款”（Catch-All管制）可能適用。
出口商/再出口商/轉讓方“收到BIS通知”（is informed）：如果BIS明確通知出口商、再出口商或轉讓方某項物品涉及受限的最終用途或受限的最終用戶，相關管控將適用。這些通知可能包括：具體通知：例如，通過“被告知信”（“is informed” letter）方式直接通知?；蛘撸_公告：例如，實體清單或未經證實清單上的公開信息。
有關核、海事核推進、導彈與UAV、生物與化學武器的最終用途管制，因大部分企業不涉及，故本文不再展開。在軍事與軍事情報最終用途/最終用戶管制項下，BIS提到了軍事最終用戶清單（MEU清單）的適用情況，在此也不再贅述，相關可見EAR第744.21、744.22、734.9(g)條。
2. “美國人”（U.S. persons）管制（不包括半導體從業限制）
值得一提的是，BIS在軍事與軍事情報最終用途/最終用戶管制部分，特別解釋了“美國人”（U.S. persons）管制。如EAR定義的那樣，BIS提道“美國人”包括：
美國公民/永久居民或受保護人士，無論其身處何地；
位于美國境內的任何個人，無論國籍如何；
任何美國企業實體，包括其海外分支機構。
進一步，BIS再次解釋了，禁止美國人“支持”以下活動：
核爆炸活動：全球范圍內（不包括不受744.2條款控制的國家）。
導彈相關活動：在D:4國家或古巴。
化學/生物武器活動：全球范圍內。
化學武器前體的整個工廠：全球范圍內（不包括A:3國家）。
在白俄羅斯、緬甸、柬埔寨、古巴、中國、朝鮮、伊朗、俄羅斯、敘利亞、委內瑞拉的軍事情報最終用途/用戶
此外，BIS同時釋明了“支持”的定義，包括：
如促成（brokering）或協助銷售（facilitating sales）不受EAR管制的來源于外國的物品（不受EAR約束）。
提供咨詢服務等活動。
此外，BIS也在本次會議中提到了可能出臺的新的“美國人”管制措施，針對涉及外國軍事、情報和安全服務的“美國人”活動進行管控。
總之，絕大部分美國人不會涉及上述提到的涉軍活動，故而本文不再就此特別展開。但需要特別注意的是，本次BIS特別提到了什么是“支持”，若相關主體涉及EAR項下的“美國人”半導體從業限制，則可參考上述“支持”的定義。
3. BIS列實體清單的考量
BIS介紹了實體清單及最終用戶審查委員會（ERC）的組成和職責。特別是，介紹了BIS列實體清單的考量，如下：
“……基于具體且可說明的事實，有合理理由相信，與交易相關的實體或參與方在一個具備高風險轉移可能性的地址運營，該實體或參與方曾涉及、正在涉及或具有顯著風險可能涉及不符合美國國家安全或外交政策利益的活動?！?/p>
具體包括：
支持從事恐怖行為的人員。
采取可能增強被美國國務卿指定為“多次支持國際恐怖活動”的國家的軍事能力或其支持恐怖主義能力的行為。
以違背美國國家安全的方式轉移、開發、服務、維修或生產常規武器。
阻礙由BIS進行或代表其進行的最終用途檢查的實現。
從事可能違反EAR的行為。
因此，若相關企業涉及上述情況，則存在被BIS列入實體清單的可能。在實際操作中，也存在相關企業發生上述行為的出發點可能是無意的，或是出于風控漏洞的原因，在該情況下，若企業為了延續涉美供應鏈而希望防止自身被列實體清單，BIS也給了相關法律途徑予以應對。具體可與筆者線下溝通。
4. 未經核實清單（UVL）的被列影響、列入以及移除程序
BIS解釋，當交易中涉及被列UVL的實體時：
向其出口、再出口或境內轉讓不得使用許可證豁免條款。在某些情況下，這意味著出口商需要獲得單獨驗證的許可證。
出口商在向UVL上的實體出口之前，必須從該實體獲得聲明，包括提供以下信息以確認：物項的最終用途、最終用戶及目的地；遵守出口與再出口管制的意圖；配合最終用途檢查的意圖。
此外，BIS強調，所有向UVL實體的出口必須在AES系統中進行申報，無論交易金額大小。
有關列UVL的程序，如之前筆者解讀，當最終用途檢查因超出美國政府控制范圍的原因無法完成時，BIS會將相關外國實體加入UVL。BIS在本次研討會中提到了如下三種原因，包括：
無法找到或聯系到該外國實體；
該外國實體無法提供與美國原產物項相關的具體處置信息，例如：無法出示物項供檢查；無法提供轉售文件；
東道國政府缺乏合作，導致檢查無法進行。例如，長時間無法進行檢查的情況下，該實體可能被列入實體清單。
有關從UVL移除，BIS在本次研討會中解釋，移除請求需提交至BIS執法分析辦公室（Office of Enforcement Analysis），且移除請求文件應包含能夠證實涉事方信譽（bona fides）的信息以及與其收到的任何美國物項處置相關的信息。移除決定最終將由BIS出口執法副助理部長（Deputy Assistant Secretary for Export Enforcement）作出。
四、總結
本次BIS年會，從BIS的“領導層”到“工作層”均有參加，并從不同側面、深度與角度進行了政策介紹與研讀。除本文上述所提及的內容外，本次年會中還包含其他一系列主題研討，包括：BIS的出口管制違規調查與執法研討，其中BIS通過執法案例解讀的方式，以案釋法，解釋了BIS的執法行為以及處罰后果；BIS如何通過各種方式評估出口管制有效性，如何通過現代化信息技術系統更好管理風險與合規，企業如何做好出口管制的風險管理與合規等等。
對于中國，BIS在某個研討會中也特別提到了中國的出口管制法、反外國制裁法、以及包括但不限于中國不可靠實體清單、反制清單等反制類清單，也提到了中國的數據安全法與國家安全法。在特朗普2.0初期，美國出口管制仍有政策不明朗之處，但在BIS年會中可感知到的是總體對華出口管制的基調如新聞媒體所述，沒有太大變化；好在，若相關涉美企業，為了繼續維持涉美供應鏈與相關海外業務市場，還是能夠做好中美法律的平衡。筆者建議，相關企業仍需保持觀察，并在2025年度起做好風險管理。
最后，本文僅為筆者的初步觀察與總結，未包含相關洞察、風險管理與應對的最佳實踐。若需了解更多詳情，歡迎直接聯系筆者。
注釋
[1] 解讀的內容為當時發布的規則。相關規則可能已被BIS更新與修改，需要結合最新的EAR相關條款閱讀相應的解讀。
