半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)關(guān)注：2023年10月17日美國(guó)針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)全面介紹【上篇】
作者：邱夢(mèng)赟 倪好 2023-12-12引言
美國(guó)時(shí)間2023年10月17日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布了一系列出口管制規(guī)則（以下簡(jiǎn)稱為“2023年10月17日新規(guī)”），更新了對(duì)先進(jìn)計(jì)算集成電路、半導(dǎo)體制造設(shè)備以及支持超級(jí)計(jì)算應(yīng)用和最終用途的物項(xiàng)向包括中國(guó)在內(nèi)的武器禁運(yùn)國(guó)家的出口管制措施，并將中國(guó)的13家實(shí)體列入了實(shí)體清單。
曾在去年2022年10月7日，BIS也曾首次發(fā)布有關(guān)限制中國(guó)獲得先進(jìn)計(jì)算集成電路、開發(fā)和維護(hù)超級(jí)計(jì)算機(jī)以及制造先進(jìn)半導(dǎo)體的能力的規(guī)定，并相應(yīng)對(duì)《美國(guó)出口管制條例》（EAR）進(jìn)行針對(duì)性的修訂（以下簡(jiǎn)稱“2022年10月7日新規(guī)”）。而本次10月17日新規(guī)在2022年10月7日新規(guī)基礎(chǔ)上的進(jìn)一步修改。
2023年10月17日新規(guī)分為如下三個(gè)板塊：
本系列將會(huì)分成如下部分分別詳述：
針對(duì)先進(jìn)計(jì)算集成電路、超級(jí)計(jì)算機(jī)新規(guī)：分別見《萬字逐條解讀：2023年10月17日美針對(duì)中國(guó)先進(jìn)計(jì)算集成電路、超算、半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)》之上篇與中篇。
針對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)：見本篇《中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)關(guān)注：2023年10月17日美國(guó)針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)全面介紹【上篇】》。下篇敬請(qǐng)期待。
正文
一、 《半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)》（即：《半導(dǎo)體制造物項(xiàng)出口管制暫行最終規(guī)則》（SME IFR）總體介紹
在本規(guī)則中，BIS 通過發(fā)布本《半導(dǎo)體制造物項(xiàng)出口管制暫行最終規(guī)則》（SME IFR），以更新了對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備（semiconductor manufacturing equipment，以下簡(jiǎn)稱“SME”）的管制，修改并完善了去年2022年10月7日新規(guī)中有關(guān)“半導(dǎo)體制造物項(xiàng)”的規(guī)定范圍，這些修改包括如下：
1. 在此前3B090項(xiàng)下，增加額外的半導(dǎo)體制造設(shè)備（SME）類型，并將這些物項(xiàng)均納入3B001和3B002的管制范圍。
2. 修改3D001、3D002、3D003和3E001，以就物項(xiàng)從3B090移至3B001和3B002的管制，而發(fā)生的許可證要求變動(dòng)作出相應(yīng)的變更。
3. 修改許可證例外限制，以反映3B090已被移除，并對(duì)這些半導(dǎo)體制造設(shè)備物項(xiàng)適用許可證例外的情況進(jìn)行其他更改。
4. 修改國(guó)家安全（NS）許可要求和許可證審查政策，對(duì)新增的半導(dǎo)體制造設(shè)備物項(xiàng)以及從3B090移至3B001和3B002的物項(xiàng)，在中國(guó)澳門替特別行政區(qū)和國(guó)家/地區(qū)組D:5中指定的目的地實(shí)施國(guó)家安全（NS）管制。
5. 修改地區(qū)穩(wěn)定（RS）許可要求和許可證審查政策，其中包括移除對(duì)3B090的引用，并將許可證要求擴(kuò)展到中國(guó)澳門特別行政區(qū)和國(guó)家/地區(qū)組D:5中指定的目的地。
6. 修改了最低美國(guó)成分（de minimis）條款，為新的ECCN 3B001.f.1.b.2.b中描述的物項(xiàng)添加了0%最低美國(guó)成分規(guī)則。
7. 修改和重新排版了“美國(guó)主體”活動(dòng)管制以及“超級(jí)計(jì)算機(jī)”和半導(dǎo)體制造最終用途管制。
8. 在《美國(guó)出口管制條例》（EAR）中添加了兩個(gè)新的定義術(shù)語(yǔ)：“極紫外”和“先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路”。
9. 添加了一個(gè)新的臨時(shí)通用許可證（TGL），為美國(guó)和國(guó)家/地區(qū)組A:5和A:6的國(guó)家的半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)商提供額外的時(shí)間來尋找武器禁運(yùn)國(guó)家之外的供應(yīng)替代來源，或者獲得經(jīng)單獨(dú)驗(yàn)證的許可證。
10. 修訂了基于目的地的許可證要求。
二、 逐條詳述《半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)》（即：《半導(dǎo)體制造物項(xiàng)出口管制暫行最終規(guī)則》（SME IFR）
本第二章節(jié)將包括十二段內(nèi)容，本上篇將介紹第（一）至第（五）段，剩余第（六）至第（十二）段將在下篇介紹。
(一) 修改了ECCN 3B001（制造半導(dǎo)體器件、材料和制造半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備以及其“特別設(shè)計(jì)的”的“組件”和“配件”）
在本次2023年10月17日新規(guī)中，修改了3B001如下內(nèi)容：
(二) 修改了ECCN 3B002（測(cè)試或檢查成品或未成品半導(dǎo)體器件而“專門設(shè)計(jì)”的測(cè)試或檢查設(shè)備）
(三) 刪除 ECCN 3B090 并作出符合規(guī)定的修改
BIS曾在去年2022年10月7日新規(guī)中將ECCN 3B090加入到商業(yè)管制清單（CCL）。而，本次2023年10月17日新規(guī)移除了ECCN 3B090，因?yàn)锽IS已經(jīng)確定應(yīng)該將半導(dǎo)體制造設(shè)備的管制和以前已經(jīng)存在的ECCN中指定的類似設(shè)備放在一起，例如3B001，而不單設(shè)3B090，為了便于合規(guī)、執(zhí)行，以及因?yàn)锽IS預(yù)計(jì)這些物項(xiàng)將成為未來正式多邊管制的對(duì)象。
由BIS簽發(fā)的 ECCN 3B090 設(shè)備許可證在有效期內(nèi)一直有效，除非被暫停或撤銷。根據(jù)EAR第 750.7(c)(1)(viii) 節(jié)的規(guī)定，2023年10月17日新規(guī)生效后，出口商此后必須使用新的 3B001，以便對(duì)涉及ECCN 3B090 物項(xiàng)的許可證進(jìn)行出口清關(guān)。這一原則也適用于本次2023年10月17日新規(guī)對(duì)其他所有ECCN的重新分類，即：出口商必須在2023年10月17日新規(guī)生效后提交的任何出口清關(guān)文件中使用新ECCN分類。
(四) 修訂了ECCN 3D001、3D002、3D003、3E001
(五) 增加了EAR第734.4(a)(3)條款：增加適用于3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)的0%最低美國(guó)成分比例規(guī)則。
1. 3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)是什么？物項(xiàng)參數(shù)是什么？
3B001是制造半導(dǎo)體器件、材料和制造半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備以及其“特別設(shè)計(jì)的”的“組件”和“配件”。
進(jìn)一步，有關(guān)3B001.f.1.b.2.b是什么？根據(jù)本次2023年10月17日新規(guī)，3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)參數(shù)是：使用光電或 X 射線方法，對(duì)準(zhǔn)并曝光分步重復(fù)（直接在晶圓上分步）或分步掃描（掃描儀）設(shè)備，以進(jìn)行晶圓處理，并滿足光源波長(zhǎng)大于或等于193納米，并具備以下所有特性：（1）具備生產(chǎn)最小可分辨特征尺寸（MRF）為45納米或更小圖案的能力；和（2）最大“專用卡盤重合度（dedicated chuck overlay）”值大于1.50納米但小于或等于2.4納米。
2. 0%最低美國(guó)成分比例規(guī)則——適用于3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)
本次2023年10月17日新規(guī)10月17日新規(guī)修訂了《美國(guó)出口管制條例》（EAR）第734.4節(jié)，增加了一個(gè)新段落“(a)(3)”，該新增段落的具體內(nèi)容如下：“符合《美國(guó)出口管制條例》（EAR）第774部分附錄1的ECCN 3B001.f.1.b.2.b 所列參數(shù)的設(shè)備，如該設(shè)備用于“開發(fā)”或“生產(chǎn)”符合《美國(guó)出口管制條例》（EAR）第772.1節(jié)中該定義第(1)段定義的“先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路，則不適用最低美國(guó)比例成分標(biāo)準(zhǔn)，除非該外國(guó)制造的設(shè)備，第一次出口的國(guó)家*將該商品列入自己的出口管制清單。例如，*日本政府于2023年7月23日將氬氦濕光刻設(shè)備和其他先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備列入所有地區(qū)的管制清單。”
因此，符合3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)參數(shù)的設(shè)備（即：高級(jí)光刻機(jī)），只要其中包含美國(guó)原產(chǎn)物項(xiàng)，無論價(jià)值比例如何，其從美國(guó)出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（在美國(guó)以外的國(guó)家/地區(qū)境內(nèi)）均受到《美國(guó)出口管制條例》（EAR）的管制，除非其首次出口國(guó)家已經(jīng)對(duì)該設(shè)備施加了與美國(guó)具有類似效果的出口管制。
3. 例外情況：若其他國(guó)家（例如日本）對(duì)符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b參數(shù)的設(shè)備維持類似效果的出口管制
此外BIS表示，如果其他國(guó)家對(duì)符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b參數(shù)的設(shè)備維持類似效果的出口管制，則BIS無需對(duì)從國(guó)外出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（在境內(nèi)）這些外國(guó)制造的物項(xiàng)施加額外的管制。BIS正在添加一條腳注（即上文中“*”的內(nèi)容），其中包含任何維持類似效果出口管制措施的國(guó)家的信息。
4. BIS對(duì)于3B001.f.1.b.2.b物項(xiàng)的“長(zhǎng)臂管轄”
BIS在本次2023年10月17日新規(guī)強(qiáng)調(diào)保留BIS的管轄權(quán)：對(duì)于從美國(guó)以外其他國(guó)家出口的物項(xiàng)，以及隨后再出口或在任何其他國(guó)家或區(qū)域之間轉(zhuǎn)移的物項(xiàng)，這些物項(xiàng)只要不是從類似效果出口管制措施的國(guó)家出口的，BIS均保留對(duì)這些外國(guó)制造設(shè)備的管轄權(quán)，以保護(hù)美國(guó)的國(guó)家安全和外交政策利益。
剩余第（六）至第（十二）段的逐條詳述《半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)》，敬請(qǐng)期待中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)關(guān)注：2023年10月17日美國(guó)針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備新規(guī)全面介紹【下篇】
